比NAND快一千倍:中芯国际出样40nm ReRAM存储芯片

  • 时间:
  • 浏览:1
  • 来源:大发时时彩-大发时时彩平台_大发时时彩网投平台

以紫光为代表的中国公司正在斥资数百亿美元投入NAND、DRAM等等存储芯片市场,2018年将推出国产3D NAND闪存,意图实现国家要求的芯片自给率要求。不过在NAND领域,中国公司研发、生产将会晚了20多年,更大的希望还是在在新一代存储技术上。中芯国际(SMIC)日前正式出样40nm工艺的ReRAM(非易失性阻变式存储器)芯片,更先进的28nm工艺版减慢也会到来,有一种新型存储芯片比NAND闪存快一千倍,耐用一千倍。

▲SMIC中芯国际将会出样40nm工艺的ReRam存储芯片

在存储芯片领域,NAND闪存是目前的绝对主流,保守点说三五年内它一定会是电子设备存储芯片的主流选者,但研究人员早就结束探索新一代非易失性存储芯片了,,Intel、美光研发的3D XPoint完后 有说是基于PCM相变存储,也是新一代存储芯片范畴了,而今天说的ReRAM(非易失性阻变式存储器)更是代表性的非易失性存储器。

真是 它的名字中带RAM,不过ReRAM真是 更像NAND闪存那样用作数据存储,只不过它的性能更强,密度比DRAM内存高40倍,读取数率快1000倍,写入数率快10000倍,耐久度高10000倍,单芯片(1000mm2左右)即可实现TB级存储,还具备特征简单、易于制造等优点。

说到ReRAM,不得不提的一家公司却说 Crossbar,根据该公司资料,Crossbar技术首先由中国出生的卢伟(Dr. Wei D. Lu)博士研发,他也是Crossbar的首席科学家和化合创始人。卢博士拥有中国清华大学物理学士学位,以及德克萨斯州莱斯大学物理学博士学位。卢博士在ReRAM领域积累了十二年的研究经验,他先作为哈佛大学的博士后研究员,或者被任命为密歇根大学教授从事这项研究。他是纳米特征和设备行业的领先专家,包括基于双端电阻开关设备的高密度内存和逻辑系统、神经元电路、半导体纳米线设备和低维系统中的电子输运。

2016年这家公司获得了100000万美元的风投,其中中国公司也参与了,而Crossbar去年3月份也发表声明进军中国市场,亲戚亲们的商务企业合作伙伴却说 SMIC中芯国际,将基于后者的40nm CMOS试产ReRAM芯片。根据该公司副总裁Sylvain Dubois所说,2016年内中芯国际将会结束给客户出样40nm工艺的ReRAM芯片,实现了该公司完后 2016年内推出ReRAM的承诺。

不仅越来越 ,更先进的28nm工艺版ReRAM芯片也将在2017年上五天问世,却说 Sylvain Dubois拒绝发表声明与否还是由SMIC生产,还是交给其他代工厂。